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Si7738DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
4 8
36
24
V GS = 10 V thr u 6 V
10
8
6
4
T C = 125 °C
T C = 25 °C
12
V GS = 5 V
2
0
V GS = 4 V
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
0.040
0.036
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.032
0.02 8
0.024
0.020
V GS = 10 V
1500
1000
500
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 7.7 A
8
V DS = 75 V
6
V DS = 120 V
4
2
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 7.7 A
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69982
S09-0536-Rev. C, 06-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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